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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK120N30T
IXYS
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IXFK120N30T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK120N30T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK120N30T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)120N30T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2890

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Spezifikation

IXFK120N30T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK120N30T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK120N30T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK120N30T.

Produkteigenschaften IXFK120N30T IXFK170N10 IXFK150N10 IXFK120N65X2
Artikelnummer IXFK120N30T IXFK170N10 IXFK150N10 IXFK120N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFK120 IXFK170 IXFK150 IXFK120
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V 515 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc) 1250W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 10300 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 170A (Tc) 150A (Tc) 120A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 100 V 100 V 650 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA

IXFK120N30T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK120N30T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK120N30T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)120N30T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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