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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK150N15
IXYS
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IXFK150N15 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK150N15
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK150N15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)150N15.pdf
vorrätig: 4190

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Spezifikation

IXFK150N15 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK150N15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK150N15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK150N15.

Produkteigenschaften IXFK150N15 IXFK180N25T IXFK120N20 IXFK140N20P
Artikelnummer IXFK150N15 IXFK180N25T IXFK120N20 IXFK140N20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFK150 IXFK180 IXFK120 IXFK140
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V, 15V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 1390W (Tc) 560W (Tc) 830W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 180A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V 18mOhm @ 70A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 250 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXFK150N15 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK150N15 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK150N15 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXF(K,X)150N15.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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