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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK170N10P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK170N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK170N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK170N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(H,K)170N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3826

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Spezifikation

IXFK170N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK170N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK170N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 715W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK170N10P.

Produkteigenschaften IXFK170N10P IXFK140N20P IXFK150N15P IXFK14N100Q
Artikelnummer IXFK170N10P IXFK140N20P IXFK150N15P IXFK14N100Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 140A (Tc) 150A (Tc) 14A (Tc)
Paket Tube Tube Box Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 150 V 1000 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V, 15V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 715W (Tc) 830W (Tc) 714W (Tc) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V 18mOhm @ 70A, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 7A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXFK170 IXFK140 IXFK150 IXFK14

IXFK170N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK170N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK170N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,K)170N10P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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