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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK180N10
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK180N10 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK180N10
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK180N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)180N10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1976

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Spezifikation

IXFK180N10 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK180N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK180N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK180N10.

Produkteigenschaften IXFK180N10 IXFK24N90Q IXFK20N80Q IXFK170N10P
Artikelnummer IXFK180N10 IXFK24N90Q IXFK20N80Q IXFK170N10P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 900 V 800 V 100 V
Grundproduktnummer IXFK180 IXFK24 IXFK20 IXFK170
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 500W (Tc) 360W (Tc) 715W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 24A (Tc) 20A (Tc) 170A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10900 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 90A, 10V 450mOhm @ 500mA, 10V 420mOhm @ 10A, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V

IXFK180N10 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK180N10 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK180N10 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)180N10.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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