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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK230N20T
IXYS
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IXFK230N20T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK230N20T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK230N20T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFK,X230N20T Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1798

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Spezifikation

IXFK230N20T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK230N20T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK230N20T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 1670W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK230  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK230N20T.

Produkteigenschaften IXFK230N20T IXFK20N80Q IXFK180N10 IXFK21N100Q
Artikelnummer IXFK230N20T IXFK20N80Q IXFK180N10 IXFK21N100Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V 420mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 800 V 100 V 1000 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFK230 IXFK20 IXFK180 IXFK21
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA 5.5V @ 4mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 1670W (Tc) 360W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230A (Tc) 20A (Tc) 180A (Tc) 21A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 10900 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V

IXFK230N20T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK230N20T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK230N20T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFK,X230N20T Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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