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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK38N80Q2
IXYS
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IXFK38N80Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK38N80Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK38N80Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IXFK38N80Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK38N80Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK38N80Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 735W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK38N80Q2.

Produkteigenschaften IXFK38N80Q2 IXFK44N50Q IXFK44N55Q IXFK360N15T2
Artikelnummer IXFK38N80Q2 IXFK44N50Q IXFK44N55Q IXFK360N15T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 735W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc) 1670W (Tc)
Grundproduktnummer IXFK38 IXFK44 IXFK44 IXFK360
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 47500 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V 550 V 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 715 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Box Tube
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, TrenchT2™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc) 360A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 4mOhm @ 60A, 10V

IXFK38N80Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK38N80Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK38N80Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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