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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK35N50
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK35N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK35N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK35N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 35A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFK(33,35)N50.pdf
vorrätig: 4940

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Spezifikation

IXFK35N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK35N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK35N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 16.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 416W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK35  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK35N50.

Produkteigenschaften IXFK35N50 IXFK36N60P IXFK30N50Q IXFK300N20X3
Artikelnummer IXFK35N50 IXFK36N60P IXFK30N50Q IXFK300N20X3
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFK35 IXFK36 IXFK30 IXFK300
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 16.5A, 10V 190mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 150A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 23800 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 36A (Tc) 30A (Tc) 300A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 227 nC @ 10 V 102 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 375 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 416W (Tc) 650W (Tc) 416W (Tc) 1250W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 500 V 200 V

IXFK35N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK35N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK35N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXFK(33,35)N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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