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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK44N50F
IXYS-RF
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IXFK44N50F - IXYS-RF

Hersteller Artikelnummer
IXFK44N50F
Hersteller
IXYS RF
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK44N50F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 44A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFK44N50F, IXFX44N50F.pdf
vorrätig: 5420

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Spezifikation

IXFK44N50F Tech -Spezifikationen
IXYS-RF - IXFK44N50F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS-RF - IXFK44N50F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS RF  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA  
Serie HiPerRF™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS-RF IXFK44N50F.

Produkteigenschaften IXFK44N50F IXFK44N60 IXFK36N60 IXFK35N50
Artikelnummer IXFK44N50F IXFK44N60 IXFK36N60 IXFK35N50
Hersteller IXYS-RF IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 500 V
Grundproduktnummer IXFK44 IXFK44 IXFK36 IXFK35
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 156 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 325 nC @ 25 V 227 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 44A (Tc) 36A (Tc) 35A (Tc)
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc) 416W (Tc)
Serie HiPerRF™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V 180mOhm @ 500mA, 10V 150mOhm @ 16.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V

IXFK44N50F Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK44N50F PDF -Datenblätter und IXYS-RF -Dokumentation für IXFK44N50F - IXYS-RF herunter.

Datenblätter
IXFK44N50F, IXFX44N50F.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXFK44N50F OBS 11/Oct/2011.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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