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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK36N60P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK36N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK36N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK36N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(H,K,T)36N60P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3172

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Spezifikation

IXFK36N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK36N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK36N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 650W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK36N60P.

Produkteigenschaften IXFK36N60P IXFK44N80P IXFK36N60 IXFK44N50
Artikelnummer IXFK36N60P IXFK44N80P IXFK36N60 IXFK44N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFK36 IXFK44 IXFK36 IXFK44
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 44A (Tc) 36A (Tc) 44A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Verlustleistung (max) 650W (Tc) 1040W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 18A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 180mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 22A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 800 V 600 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 325 nC @ 25 V 270 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)

IXFK36N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK36N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK36N60P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,K,T)36N60P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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