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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK50N85X
IXYS
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IXFK50N85X - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK50N85X
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK50N85X
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 50A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFT50N85XHV, IXF(H,K)50N85X.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2295

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Spezifikation

IXFK50N85X Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK50N85X Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK50N85X

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA  
Serie HiPerFET™, Ultra X  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4480 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 850 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK50N85X.

Produkteigenschaften IXFK50N85X IXFK60N55Q2 IXFK44N60 IXFK48N50
Artikelnummer IXFK50N85X IXFK60N55Q2 IXFK44N60 IXFK48N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4480 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 60A (Tc) 44A (Tc) 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXFK50 IXFK60 IXFK44 IXFK48
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 735W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Serie HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 500mA, 10V 88mOhm @ 30A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 24A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 850 V 550 V 600 V 500 V

IXFK50N85X Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK50N85X PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK50N85X - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFT50N85XHV, IXF(H,K)50N85X.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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