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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK60N25Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK60N25Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK60N25Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK60N25Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(H,K,T)60N25Q.pdf
vorrätig: 4330

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Spezifikation

IXFK60N25Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK60N25Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK60N25Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK60N25Q.

Produkteigenschaften IXFK60N25Q IXFK73N30Q IXFK72N20 IXFK66N50Q2
Artikelnummer IXFK60N25Q IXFK73N30Q IXFK72N20 IXFK66N50Q2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 500W (Tc) 360W (Tc) 735W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 300 V 200 V 500 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 35mOhm @ 36A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 73A (Tc) 72A (Tc) 66A (Tc)
Grundproduktnummer IXFK60 IXFK73 IXFK72 IXFK66
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA

IXFK60N25Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK60N25Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK60N25Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,K,T)60N25Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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