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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK72N20
IXYS
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IXFK72N20 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK72N20
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK72N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 72A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFK72N20, IXFK80N20.pdf
vorrätig: 3990

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Spezifikation

IXFK72N20 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK72N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK72N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK72  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK72N20.

Produkteigenschaften IXFK72N20 IXFK90N20Q IXFK52N60Q2 IXFK90N20
Artikelnummer IXFK72N20 IXFK90N20Q IXFK52N60Q2 IXFK90N20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 500W (Tc) 735W (Tc) 500W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 600 V 200 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc) 90A (Tc) 52A (Tc) 90A (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Grundproduktnummer IXFK72 IXFK90 IXFK52 IXFK90
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 36A, 10V 22mOhm @ 45A, 10V 115mOhm @ 500mA, 10V 23mOhm @ 45A, 10V

IXFK72N20 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK72N20 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK72N20 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXFK72N20, IXFK80N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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