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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK52N30Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK52N30Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK52N30Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK52N30Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(H,K,T)52N30Q.pdf
vorrätig: 4960

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Spezifikation

IXFK52N30Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK52N30Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK52N30Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK52  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK52N30Q.

Produkteigenschaften IXFK52N30Q IXFK60N25Q IXFK48N55 IXFK66N50Q2
Artikelnummer IXFK52N30Q IXFK60N25Q IXFK48N55 IXFK66N50Q2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Grundproduktnummer IXFK52 IXFK60 IXFK48 IXFK66
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 110mOhm @ 24A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 250 V 550 V 500 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc) 60A (Tc) 48A (Tc) 66A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 360W (Tc) 560W (Tc) 735W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFK52N30Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK52N30Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK52N30Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,K,T)52N30Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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