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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK80N60P3
IXYS
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IXFK80N60P3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK80N60P3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK80N60P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFK-FX80N60P3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3478

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Spezifikation

IXFK80N60P3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK80N60P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK80N60P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK80N60P3.

Produkteigenschaften IXFK80N60P3 IXFK64N60P IXFK88N20Q IXFK66N50Q2
Artikelnummer IXFK80N60P3 IXFK64N60P IXFK88N20Q IXFK66N50Q2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13100 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 4150 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Grundproduktnummer IXFK80 IXFK64 IXFK88 IXFK66
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 64A (Tc) 88A (Tc) 66A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 500mA, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 1300W (Tc) 1040W (Tc) 500W (Tc) 735W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 200 V 500 V

IXFK80N60P3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK80N60P3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK80N60P3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFK-FX80N60P3.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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