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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK73N30
IXYS
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IXFK73N30 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK73N30
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK73N30
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,N)73N30.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4640

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Spezifikation

IXFK73N30 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK73N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK73N30

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 73A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK73  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK73N30.

Produkteigenschaften IXFK73N30 IXFK52N30Q IXFK90N20Q IXFK66N50Q2
Artikelnummer IXFK73N30 IXFK52N30Q IXFK90N20Q IXFK66N50Q2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc) 735W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 300 V 200 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXFK73 IXFK52 IXFK90 IXFK66
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 45A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 73A (Tc) 52A (Tc) 90A (Tc) 66A (Tc)

IXFK73N30 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK73N30 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK73N30 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,N)73N30.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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