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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK90N20
IXYS
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IXFK90N20 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK90N20
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK90N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2988

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Spezifikation

IXFK90N20 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK90N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK90N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK90N20.

Produkteigenschaften IXFK90N20 IXFK80N60P3 IXFK80N20 IXFK90N20Q
Artikelnummer IXFK90N20 IXFK80N60P3 IXFK80N20 IXFK90N20Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 600 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 45A, 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 1300W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc)
Grundproduktnummer IXFK90 IXFK80 IXFK80 IXFK90
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXFK90N20 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK90N20 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK90N20 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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