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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN150N15
IXYS
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IXFN150N15 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN150N15
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN150N15
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 150A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN150N15.pdf
vorrätig: 4670

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Spezifikation

IXFN150N15 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN150N15 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN150N15

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN150N15.

Produkteigenschaften IXFN150N15 IXFN170N10 IXFN140N30P IXFN120N25
Artikelnummer IXFN150N15 IXFN170N10 IXFN140N30P IXFN120N25
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 515 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V -
Grundproduktnummer IXFN150 IXFN170 IXFN140 IXFN120
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 170A (Tc) 110A (Tc) 120A
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar -
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc) -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 10300 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 300 V 250 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 75A, 10V 10mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 70A, 10V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

IXFN150N15 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN150N15 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN150N15 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN150N15.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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