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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN170N30P
IXYS
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IXFN170N30P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN170N30P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN170N30P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN170N30P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1075

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Spezifikation

IXFN170N30P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN170N30P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN170N30P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 138A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN170N30P.

Produkteigenschaften IXFN170N30P IXFN160N30T IXFN140N30P IXFN180N07
Artikelnummer IXFN170N30P IXFN160N30T IXFN140N30P IXFN180N07
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V 19mOhm @ 60A, 10V 24mOhm @ 70A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXFN170 IXFN160 IXFN140 IXFN180
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 138A (Tc) 130A (Tc) 110A (Tc) 180A (Tc)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V 335 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 900W (Tc) 700W (Tc) 520W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 300 V 300 V 70 V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA

IXFN170N30P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN170N30P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN170N30P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN170N30P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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