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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN160N30T
IXYS
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IXFN160N30T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN160N30T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN160N30T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN160N30T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1833

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Spezifikation

IXFN160N30T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN160N30T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN160N30T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 900W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 335 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN160N30T.

Produkteigenschaften IXFN160N30T IXFN140N20P IXFN130N30 IXFN170N25X3
Artikelnummer IXFN160N30T IXFN140N20P IXFN130N30 IXFN170N25X3
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 335 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 200 V 300 V 250 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 60A, 10V 18mOhm @ 70A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 7.4mOhm @ 85A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 14500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X3
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V, 15V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 115A (Tc) 130A (Tc) 170A (Tc)
Verlustleistung (max) 900W (Tc) 680W (Tc) 700W (Tc) 390W (Tc)
Paket Tube Box Tube Tube
Grundproduktnummer IXFN160 IXFN140 IXFN130 IXFN170
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

IXFN160N30T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN160N30T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN160N30T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN160N30T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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