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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN170N25X3
IXYS
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IXFN170N25X3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN170N25X3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN170N25X3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN170N25X3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1250

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Anzahl

Spezifikation

IXFN170N25X3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN170N25X3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN170N25X3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Ultra X3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 85A, 10V  
Verlustleistung (max) 390W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN170N25X3.

Produkteigenschaften IXFN170N25X3 IXFN180N25T IXFN150N15 IXFN150N10
Artikelnummer IXFN170N25X3 IXFN180N25T IXFN150N15 IXFN150N10
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 168A (Tc) 150A (Tc) 150A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Verlustleistung (max) 390W (Tc) 900W (Tc) 600W (Tc) 520W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13500 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFN170 IXFN180 IXFN150 IXFN150
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 150 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 85A, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXFN170N25X3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN170N25X3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN170N25X3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN170N25X3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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