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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN230N20T
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN230N20T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN230N20T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN230N20T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN230N20T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1371

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Spezifikation

IXFN230N20T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN230N20T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN230N20T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 1090W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN230  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN230N20T.

Produkteigenschaften IXFN230N20T IXFN260N17T IXFN23N100 IXFN24N100
Artikelnummer IXFN230N20T IXFN260N17T IXFN23N100 IXFN24N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 170 V 1000 V 1000 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V - 8700 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 220A (Tc) 245A (Tc) 23A (Tc) 24A (Tc)
Serie HiPerFET™, Trench GigaMOS™ - HiPerFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1090W (Tc) 1090W (Tc) 600W (Tc) 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V - 390mOhm @ 12A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V - 267 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Grundproduktnummer IXFN230 IXFN260 IXFN23 IXFN24
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
FET-Merkmal - - - -

IXFN230N20T Datenblatt PDF

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Datenblätter
IXFN230N20T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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