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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN200N10P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN200N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN200N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN200N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN200N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1485

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Spezifikation

IXFN200N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN200N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN200N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 680W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN200N10P.

Produkteigenschaften IXFN200N10P IXFN180N07 IXFN180N15P IXFN200N07
Artikelnummer IXFN200N10P IXFN180N07 IXFN180N15P IXFN200N07
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA
Paket Box Tube Box Tube
Grundproduktnummer IXFN200 IXFN180 IXFN180 IXFN200
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 150A (Tc) 200A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 70 V 150 V 70 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 680W (Tc) 520W (Tc) 680W (Tc) 520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 90A, 10V 6mOhm @ 500mA, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™

IXFN200N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN200N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN200N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN200N10P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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