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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN210N30X3
IXYS
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IXFN210N30X3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN210N30X3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN210N30X3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN210N30X3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 756

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Spezifikation

IXFN210N30X3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN210N30X3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN210N30X3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Ultra X3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 105A, 10V  
Verlustleistung (max) 695W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 375 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN210  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN210N30X3.

Produkteigenschaften IXFN210N30X3 IXFN210N30P3 IXFN200N10P IXFN20N120
Artikelnummer IXFN210N30X3 IXFN210N30P3 IXFN200N10P IXFN20N120
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 695W (Tc) 1500W (Tc) 680W (Tc) 780W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 375 nC @ 10 V 268 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXFN210 IXFN210 IXFN200 IXFN20
Paket Tube Tube Box Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210A (Tc) 192A (Tc) 200A (Tc) 20A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 105A, 10V 14.5mOhm @ 105A, 10V 7.5mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 300 V 100 V 1200 V
Serie HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24200 pF @ 25 V 16200 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXFN210N30X3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN210N30X3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN210N30X3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN210N30X3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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