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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN30N110P
IXYS
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IXFN30N110P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN30N110P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN30N110P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN30N110P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IXFN30N110P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN30N110P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN30N110P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 695W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN30N110P.

Produkteigenschaften IXFN30N110P IXFN32N100P IXFN32N120 IXFN26N90
Artikelnummer IXFN30N110P IXFN32N100P IXFN32N120 IXFN26N90
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 15A, 10V 320mOhm @ 16A, 10V 350mOhm @ 500mA, 10V 300mOhm @ 13A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (Max) ±30V ±30V - ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1100 V 1000 V 1200 V 900 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc) 27A (Tc) 32A 26A (Tc)
Grundproduktnummer IXFN30 IXFN32 IXFN32 IXFN26
Paket Tube Tube Box Tube
Verlustleistung (max) 695W (Tc) 690W (Tc) - 600W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V 14200 pF @ 25 V 15900 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXFN30N110P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN30N110P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN30N110P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN30N110P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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