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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN55N50F
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN55N50F - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN55N50F
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN55N50F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN55N50F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4190

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Anzahl

Spezifikation

IXFN55N50F Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN55N50F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN55N50F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, F Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN55N50F.

Produkteigenschaften IXFN55N50F IXFN64N60P IXFN60N80P IXFN52N90P
Artikelnummer IXFN55N50F IXFN64N60P IXFN60N80P IXFN52N90P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 700W (Tc) 1040W (Tc) 890W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 50A (Tc) 53A (Tc) 43A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXFN55 IXFN64 IXFN60 -
Serie HiPerFET™, F Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar Polar™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube -
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 800 V 900V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 308nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 27.5A, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 30A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V

IXFN55N50F Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN55N50F PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN55N50F - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN55N50F.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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