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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN55N50
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN55N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN55N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN55N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN55N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4160

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Anzahl

Spezifikation

IXFN55N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN55N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN55N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN55N50.

Produkteigenschaften IXFN55N50 IXFN52N90P IXFN50N120SK IXFN55N50F
Artikelnummer IXFN55N50 IXFN52N90P IXFN50N120SK IXFN55N50F
Hersteller IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 19000pF @ 25V 1895 pF @ 1000 V 6700 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 900V 1200 V 500 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V 52mOhm @ 40A, 20V 85mOhm @ 27.5A, 10V
Serie HiPerFET™ Polar™ - HiPerFET™, F Class
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 308nC @ 10V 115 nC @ 20 V 195 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXFN55 - IXFN50 IXFN55
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 43A (Tc) 48A (Tc) 55A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V +20V, -5V ±20V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 2.8V @ 10mA 5.5V @ 8mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Paket Tube - Tube Tube
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 890W (Tc) - 600W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V

IXFN55N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN55N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN55N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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