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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN50N120SK
IXYS
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IXFN50N120SK - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN50N120SK
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN50N120SK
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN50N120SK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 570

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Spezifikation

IXFN50N120SK Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN50N120SK Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN50N120SK

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA  
Vgs (Max) +20V, -5V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1895 pF @ 1000 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN50N120SK.

Produkteigenschaften IXFN50N120SK IXFN52N90P IXFN520N075T2 IXFN55N50
Artikelnummer IXFN50N120SK IXFN52N90P IXFN520N075T2 IXFN55N50
Hersteller IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Verlustleistung (max) - 890W (Tc) 940W (Tc) 625W (Tc)
Serie - Polar™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 20 V 308nC @ 10V 545 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V 160 mOhm @ 26A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) +20V, -5V ±30V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Paket Tube - Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1895 pF @ 1000 V 19000pF @ 25V 41000 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 43A (Tc) 480A (Tc) 55A (Tc)
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 900V 75 V 500 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFN50 - IXFN520 IXFN55
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXFN50N120SK Datenblatt PDF

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Datenblätter
IXFN50N120SK.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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