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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFT58N20Q
IXFT58N20Q Image
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IXFT58N20Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFT58N20Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFT58N20Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt
IXF(H,T)58N20Q.pdf
vorrätig: 3810

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Spezifikation

IXFT58N20Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFT58N20Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFT58N20Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFT58  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFT58N20Q.

Produkteigenschaften IXFT58N20Q IXFT32N50 IXFT140N10P IXFX120N20
Artikelnummer IXFT58N20Q IXFT32N50 IXFT140N10P IXFX120N20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA TO-268AA TO-268AA PLUS247™-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 29A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V
Paket Tube Tube Box Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant
Grundproduktnummer IXFT58 IXFT32 IXFT140 IXFX120
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 360W (Tc) 600W (Tc) 560W (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 100 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 32A (Tc) 140A (Tc) 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V

IXFT58N20Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFT58N20Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFT58N20Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,T)58N20Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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