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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFT26N50Q
IXFT26N50Q Image
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IXFT26N50Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFT26N50Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFT26N50Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt
IXF(H,T)2(4,6)N50Q.pdf
vorrätig: 5090

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Spezifikation

IXFT26N50Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFT26N50Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFT26N50Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFT26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFT26N50Q.

Produkteigenschaften IXFT26N50Q IXFT32N50 IXFT12N100Q IXFR90N30
Artikelnummer IXFT26N50Q IXFT32N50 IXFT12N100Q IXFR90N30
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA TO-268AA TO-268AA ISOPLUS247™
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFT26 IXFT32 IXFT12 IXFR90
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc) 417W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 1000 V 300 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 33mOhm @ 45A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 32A (Tc) 12A (Tc) 75A (Tc)

IXFT26N50Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFT26N50Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFT26N50Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,T)2(4,6)N50Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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