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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFT140N10P
IXFT140N10P Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFT140N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFT140N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFT140N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt
IXF(H,T)140N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6137

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Spezifikation

IXFT140N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFT140N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFT140N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFT140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFT140N10P.

Produkteigenschaften IXFT140N10P IXFR70N15 IXFT52N30Q IXFR50N50
Artikelnummer IXFT140N10P IXFR70N15 IXFT52N30Q IXFR50N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 250W (Tc) 360W (Tc) 400W (Tc)
Paket Box Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 67A (Tc) 52A (Tc) 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 70A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 25A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA ISOPLUS247™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 300 V 500 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFT140 IXFR70 IXFT52 IXFR50

IXFT140N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFT140N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFT140N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,T)140N10P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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