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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX120N20
IXFX120N20 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFX120N20 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX120N20
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX120N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(X,K)120N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2939

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Anzahl

Spezifikation

IXFX120N20 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX120N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX120N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX120N20.

Produkteigenschaften IXFX120N20 IXFT50N60P3-TRL IXFT58N20Q IXFX180N10
Artikelnummer IXFX120N20 IXFT50N60P3-TRL IXFT58N20Q IXFX180N10
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 TO-268 TO-268AA PLUS247™-3
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 1.04kW (Tc) 300W (Tc) 560W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 8mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 600 V 200 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 50A (Tc) 58A (Tc) 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 60A, 10V 145mOhm @ 25A, 10V 40mOhm @ 29A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 10900 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™
Grundproduktnummer IXFX120 IXFT50 IXFT58 IXFX180
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFX120N20 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX120N20 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX120N20 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXF(X,K)120N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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