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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX120N25
IXFX120N25 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFX120N25 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX120N25
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX120N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(X,K)120N25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4360

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Anzahl

Spezifikation

IXFX120N25 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX120N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX120N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX120N25.

Produkteigenschaften IXFX120N25 IXFX150N15 IXFT44N50P IXFT58N20Q
Artikelnummer IXFX120N25 IXFX150N15 IXFT44N50P IXFT58N20Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 40mOhm @ 29A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 560W (Tc) 658W (Tc) 300W (Tc)
Grundproduktnummer IXFX120 IXFX150 IXFT44 IXFT58
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 150 V 500 V 200 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 150A (Tc) 44A (Tc) 58A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 4mA
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 TO-268AA TO-268AA

IXFX120N25 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX120N25 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX120N25 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(X,K)120N25.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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