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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX200N10P
IXFX200N10P Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFX200N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX200N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX200N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(K,X)200N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3102

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Spezifikation

IXFX200N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX200N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX200N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 830W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX200N10P.

Produkteigenschaften IXFX200N10P IXFX21N100F IXFX26N120P IXFX180N10
Artikelnummer IXFX200N10P IXFX21N100F IXFX26N120P IXFX180N10
Hersteller IXYS IXYS RF IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFX200 - IXFX26 IXFX180
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000V 1200 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 21A (Tc) 26A (Tc) 180A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V 500 mOhm @ 10.5A, 10V 500mOhm @ 13A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V
Paket Tube - Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 5500pF @ 25V 16000 pF @ 25 V 10900 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5.5V @ 4mA 6.5V @ 1mA 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 160nC @ 10V 225 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Verlustleistung (max) 830W (Tc) 500W (Tc) 960W (Tc) 560W (Tc)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerRF™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFX200N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX200N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX200N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)200N10P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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