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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX21N100F
IXFX21N100F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFX21N100F - IXYS RF

Hersteller Artikelnummer
IXFX21N100F
Hersteller
IXYS RF
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX21N100F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFK21N100F, IXFX21N100F.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 2471

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Spezifikation

IXFX21N100F Tech -Spezifikationen
IXYS RF - IXFX21N100F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS RF - IXFX21N100F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS RF  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerRF™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS RF IXFX21N100F.

Produkteigenschaften IXFX21N100F IXFX24N100F IXFX200N10P IXFX150N15
Artikelnummer IXFX21N100F IXFX24N100F IXFX200N10P IXFX150N15
Hersteller IXYS RF IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 24A (Tc) 200A (Tc) 150A (Tc)
Serie HiPerRF™ HiPerRF™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung Tube - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V 6600 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V 1000 V 100 V 150 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 10.5A, 10V 390mOhm @ 12A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 12.5mOhm @ 75A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V 195 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
detaillierte Beschreibung N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 - - -
Hersteller Standard Vorlaufzeit 14 Weeks - - -
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 560W (Tc) 830W (Tc) 560W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -

IXFX21N100F Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX21N100F PDF -Datenblätter und IXYS RF -Dokumentation für IXFX21N100F - IXYS RF herunter.

Datenblätte
IXFK21N100F, IXFX21N100F.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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