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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX24N90Q
IXFX24N90Q Image
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IXFX24N90Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX24N90Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX24N90Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(K,X)24N90Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4410

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Anzahl

Spezifikation

IXFX24N90Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX24N90Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX24N90Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX24N90Q.

Produkteigenschaften IXFX24N90Q IXFX26N120P IXFX180N25T IXFX27N80Q
Artikelnummer IXFX24N90Q IXFX26N120P IXFX180N25T IXFX27N80Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V 16000 pF @ 25 V 28000 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 10V 500mOhm @ 13A, 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 345 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXFX24 IXFX26 IXFX180 IXFX27
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Q Class
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 26A (Tc) 180A (Tc) 27A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 960W (Tc) 1390W (Tc) 500W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 1200 V 250 V 800 V
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3

IXFX24N90Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX24N90Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX24N90Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)24N90Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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