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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX32N50
IXFX32N50 Image
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IXFX32N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX32N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX32N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXFX32N50.pdf
vorrätig: 5100

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Anzahl

Spezifikation

IXFX32N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX32N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX32N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX32N50.

Produkteigenschaften IXFX32N50 IXFX44N80P IXFX24N90Q IXFX44N60
Artikelnummer IXFX32N50 IXFX44N80P IXFX24N90Q IXFX44N60
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Grundproduktnummer IXFX32 IXFX44 IXFX24 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 800 V 900 V 600V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 330nC @ 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 450mOhm @ 500mA, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 44A (Tc) 24A (Tc) 44A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 1040W (Tc) 500W (Tc) 560W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5450 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V 8900pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXFX32N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX32N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX32N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXFX32N50.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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