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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX44N60
IXFX44N60 Image
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IXFX44N60 - IXYS Corporation

Hersteller Artikelnummer
IXFX44N60
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX44N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(X,K)44N60.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 1612

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Spezifikation

IXFX44N60 Tech -Spezifikationen
IXYS Corporation - IXFX44N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Corporation - IXFX44N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 44A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Corporation IXFX44N60.

Produkteigenschaften IXFX44N60 IXFX34N80 IXFX44N80P IXFX52N60Q2
Artikelnummer IXFX44N60 IXFX34N80 IXFX44N80P IXFX52N60Q2
Hersteller IXYS Corporation IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 560W (Tc) 1040W (Tc) 735W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V 270 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 44A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 34A (Tc) 44A (Tc) 52A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 24 Weeks - - -
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V 800 V 800 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V 7500 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 22A, 10V 240mOhm @ 17A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 115mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung Tube - - -

IXFX44N60 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX44N60 PDF -Datenblätter und IXYS Corporation -Dokumentation für IXFX44N60 - IXYS Corporation herunter.

Datenblätte
IXF(X,K)44N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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