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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2 Image
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IXFX38N80Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX38N80Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX38N80Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4790

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Spezifikation

IXFX38N80Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX38N80Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX38N80Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 735W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX38N80Q2.

Produkteigenschaften IXFX38N80Q2 IXFX32N50Q IXFX44N80P IXFX30N100Q2
Artikelnummer IXFX38N80Q2 IXFX32N50Q IXFX44N80P IXFX30N100Q2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 32A (Tc) 44A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 735W (Tc) 416W (Tc) 1040W (Tc) 735W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V 800 V 1000 V
Grundproduktnummer IXFX38 IXFX32 IXFX44 IXFX30

IXFX38N80Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX38N80Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX38N80Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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