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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH10P50P
IXTH10P50P Image
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IXTH10P50P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH10P50P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH10P50P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 500V 10A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTx10P50P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9365

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Anzahl

Spezifikation

IXTH10P50P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH10P50P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH10P50P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie PolarP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH10P50P.

Produkteigenschaften IXTH10P50P IXTH10N100D2 IXTC75N10 IXTH04N300P3HV
Artikelnummer IXTH10P50P IXTH10N100D2 IXTC75N10 IXTH04N300P3HV
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V 190Ohm @ 200mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 5320 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 283 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS220™ TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) ISOPLUS220™ TO-247HV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 72A (Tc) 400mA (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA - 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 695W (Tc) 230W (Tc) 104W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IXTH10 IXTH10 IXTC75 IXTH04
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 100 V 3000 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 200 nC @ 5 V 260 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie PolarP™ Depletion MegaMOS™ Polar P3™
FET-Merkmal - Depletion Mode - -

IXTH10P50P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH10P50P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH10P50P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTx10P50P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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