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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH10N100D2
IXTH10N100D2 Image
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IXTH10N100D2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH10N100D2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH10N100D2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTx10N100D2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2879

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Spezifikation

IXTH10N100D2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH10N100D2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH10N100D2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Depletion  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 695W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH10N100D2.

Produkteigenschaften IXTH10N100D2 IXTH04N300P3HV IXTH10P60 IXTC13N50
Artikelnummer IXTH10N100D2 IXTH04N300P3HV IXTH10P60 IXTC13N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal Depletion Mode - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 5 V 13 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247HV TO-247 (IXTH) ISOPLUS220™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXTH10 IXTH04 IXTH10 IXTC13
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 400mA (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 2.5mA
Serie Depletion Polar P3™ - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V 190Ohm @ 200mA, 10V 1Ohm @ 5A, 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 3000 V 600 V 500 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 ISOPLUS220™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 25 V 283 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 695W (Tc) 104W (Tc) 300W (Tc) 140W (Tc)

IXTH10N100D2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH10N100D2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH10N100D2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTx10N100D2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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