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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH48N65X2
IXTH48N65X2 Image
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IXTH48N65X2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH48N65X2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH48N65X2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTH48N65X2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7177

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Spezifikation

IXTH48N65X2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH48N65X2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH48N65X2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 24A, 10V  
Verlustleistung (max) 660W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4420 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH48N65X2.

Produkteigenschaften IXTH48N65X2 IXTH450P2 IXTH3N120 IXTH48P20P
Artikelnummer IXTH48N65X2 IXTH450P2 IXTH3N120 IXTH48P20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer IXTH48 IXTH450 IXTH3 IXTH48
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 16A (Tc) 3A (Tc) 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4420 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 24A, 10V 330mOhm @ 8A, 10V 4.5Ohm @ 500mA, 10V 85mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 660W (Tc) 300W (Tc) 200W (Tc) 462W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 500 V 1200 V 200 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie Ultra X2 PolarP2™ - PolarP™
Paket Tube Tube Box Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V

IXTH48N65X2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH48N65X2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH48N65X2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH48N65X2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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