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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH90N15T
IXTH90N15T Image
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IXTH90N15T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH90N15T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH90N15T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 90A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(A,H,P,Q)90N15T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4060

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Anzahl

Spezifikation

IXTH90N15T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH90N15T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH90N15T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 455W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH90N15T.

Produkteigenschaften IXTH90N15T IXTH86N25T IXTH80N20L IXTH96N20P
Artikelnummer IXTH90N15T IXTH86N25T IXTH80N20L IXTH96N20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Trench Trench Linear Polar
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4100 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 6160 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 45A, 10V 37mOhm @ 43A, 10V 32mOhm @ 40A, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 86A (Tc) 80A (Tc) 96A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 5V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Grundproduktnummer IXTH90 IXTH86 IXTH80 IXTH96
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 250 V 200 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 455W (Tc) 540W (Ta) 520W (Tc) 600W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTH90N15T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH90N15T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH90N15T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,H,P,Q)90N15T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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