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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK140N20P
IXYS
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IXTK140N20P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK140N20P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK140N20P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 140A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTK140N20P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3096

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Spezifikation

IXTK140N20P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK140N20P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK140N20P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 800W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK140N20P.

Produkteigenschaften IXTK140N20P IXTK110N20L2 IXTK20N150 IXTK120N25
Artikelnummer IXTK140N20P IXTK110N20L2 IXTK20N150 IXTK120N25
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4.5V @ 3mA 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 70A, 10V 24mOhm @ 55A, 10V 1Ohm @ 10A, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 7800 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 800W (Tc) 960W (Tc) 1250W (Tc) 730W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 110A (Tc) 20A (Tc) 120A (Tc)
Grundproduktnummer IXTK140 IXTK110 IXTK20 IXTK120
Serie Polar Linear L2™ - MegaMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 1500 V 250 V
FET-Merkmal - - - -

IXTK140N20P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK140N20P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK140N20P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTK140N20P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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