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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK110N20L2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK110N20L2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK110N20L2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK110N20L2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXT(K,X)110N20L2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1010

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Spezifikation

IXTK110N20L2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK110N20L2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK110N20L2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK110N20L2.

Produkteigenschaften IXTK110N20L2 IXTK120N25 IXTH80N65X2 IXTH90N15T
Artikelnummer IXTK110N20L2 IXTK120N25 IXTH80N65X2 IXTH90N15T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 730W (Tc) 890W (Tc) 455W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 40A, 10V 20mOhm @ 45A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V 7753 pF @ 25 V 4100 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 120A (Tc) 80A (Tc) 90A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXTK110 IXTK120 IXTH80 IXTH90
Serie Linear L2™ MegaMOS™ Ultra X2 Trench
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 250 V 650 V 150 V

IXTK110N20L2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK110N20L2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK110N20L2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,X)110N20L2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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