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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK102N30P
IXYS
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IXTK102N30P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK102N30P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK102N30P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 102A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTK102N30P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3127

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Spezifikation

IXTK102N30P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK102N30P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK102N30P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 700W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 102A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK102  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK102N30P.

Produkteigenschaften IXTK102N30P IXTH90N15T IXTH88N30P IXTK128N15
Artikelnummer IXTK102N30P IXTH90N15T IXTH88N30P IXTK128N15
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 4100 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-264 (IXTK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 102A (Tc) 90A (Tc) 88A (Tc) 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 45A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 700W (Tc) 455W (Tc) 600W (Tc) 540W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 150 V 300 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Serie Polar Trench Polar MegaMOS™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXTK102 IXTH90 IXTH88 IXTK128
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4.5V @ 1mA 5V @ 250µA 4V @ 250µA

IXTK102N30P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK102N30P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK102N30P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTK102N30P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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