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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN62N50L
IXYS
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IXTN62N50L - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN62N50L
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN62N50L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN62N50L.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 723

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Spezifikation

IXTN62N50L Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN62N50L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN62N50L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 20V  
Verlustleistung (max) 800W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 550 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN62  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN62N50L.

Produkteigenschaften IXTN62N50L IXTN600N04T2 IXTP05N100 IXTP02N120P
Artikelnummer IXTN62N50L IXTN600N04T2 IXTP05N100 IXTP02N120P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 40 V 1000 V 1200 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 20V 1.05mOhm @ 100A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXTN62 IXTN600 IXTP05 IXTP02
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Linear TrenchT2™ - Polar
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 600A (Tc) 750mA (Tc) 200mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 550 nC @ 20 V 590 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11500 pF @ 25 V 40000 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 800W (Tc) 940W (Tc) 40W (Tc) 33W (Tc)

IXTN62N50L Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN62N50L PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN62N50L - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN62N50L.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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