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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN550N055T2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTN550N055T2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN550N055T2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN550N055T2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN550N055T2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 907

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Anzahl

Spezifikation

IXTN550N055T2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN550N055T2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN550N055T2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 940W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 595 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 550A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN550  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN550N055T2.

Produkteigenschaften IXTN550N055T2 IXTP05N100 IXTP02N120P IXTN90P20P
Artikelnummer IXTN550N055T2 IXTP05N100 IXTP02N120P IXTN90P20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V 44mOhm @ 500mA, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 595 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B
Serie TrenchT2™ - Polar PolarP™
Grundproduktnummer IXTN550 IXTP05 IXTP02 IXTN90
Verlustleistung (max) 940W (Tc) 40W (Tc) 33W (Tc) 890W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 1000 V 1200 V 200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 550A (Tc) 750mA (Tc) 200mA (Tc) 90A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube

IXTN550N055T2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN550N055T2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN550N055T2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN550N055T2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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