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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP01N100D
IXTP01N100D Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTP01N100D - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP01N100D
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP01N100D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(P,U,Y)01N100D.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13782

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Spezifikation

IXTP01N100D Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP01N100D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP01N100D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Depletion  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP01  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP01N100D.

Produkteigenschaften IXTP01N100D IXTP05N100 IXTN550N055T2 IXTN60N50L2
Artikelnummer IXTP01N100D IXTP05N100 IXTN550N055T2 IXTN60N50L2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 0V 17Ohm @ 375mA, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 30A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 40000 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1000 V 55 V 500 V
FET-Merkmal Depletion Mode - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 40W (Tc) 940W (Tc) 735W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc) 750mA (Tc) 550A (Tc) 53A (Tc)
Serie Depletion - TrenchT2™ Linear L2™
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Grundproduktnummer IXTP01 IXTP05 IXTN550 IXTN60
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 5 V 7.8 nC @ 10 V 595 nC @ 10 V 610 nC @ 10 V

IXTP01N100D Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP01N100D PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP01N100D - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(P,U,Y)01N100D.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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