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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN60N50L2
IXYS
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IXTN60N50L2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN60N50L2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN60N50L2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN60N50L2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 839

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Spezifikation

IXTN60N50L2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN60N50L2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN60N50L2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 735W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 610 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN60N50L2.

Produkteigenschaften IXTN60N50L2 IXTP08N100D2 IXTN30N100L IXTN36N50
Artikelnummer IXTN60N50L2 IXTP08N100D2 IXTN30N100L IXTN36N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24000 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 13700 pF @ 25 V -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA - 5.5V @ 250µA 4V @ 20mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 1000 V 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 53A (Tc) 800mA (Tc) 30A (Tc) 36A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 20V -
Verlustleistung (max) 735W (Tc) 60W (Tc) 800W (Tc) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 610 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 545 nC @ 20 V -
Serie Linear L2™ Depletion Linear -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - Depletion Mode - -
Paket Tube Tube Bulk Tube
Grundproduktnummer IXTN60 IXTP08 IXTN30 IXTN36
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 30A, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 450mOhm @ 15A, 20V -

IXTN60N50L2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN60N50L2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN60N50L2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN60N50L2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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