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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP08N100P
IXTP08N100P Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTP08N100P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP08N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP08N100P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P,Y)08N100P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23954

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Spezifikation

IXTP08N100P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP08N100P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP08N100P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP08  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP08N100P.

Produkteigenschaften IXTP08N100P IXTP01N100D IXTN90N25L2 IXTN79N20
Artikelnummer IXTP08N100P IXTP01N100D IXTN90N25L2 IXTN79N20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA (Tc) 400mA (Tc) 90A (Tc) 85A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V 640 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V 80Ohm @ 50mA, 0V 33mOhm @ 500mA, 10V -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Serie Polar Depletion Linear L2™ -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1000 V 250 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4.5V @ 25µA 4.5V @ 3mA 4V @ 20mA
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 735W (Tc) 400W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 SOT-227B SOT-227B
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - Depletion Mode - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 0V 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Grundproduktnummer IXTP08 IXTP01 IXTN90 IXTN79
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

IXTP08N100P Datenblatt PDF

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Datenblätter
IXT(A,P,Y)08N100P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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